SK 海力士開發(fā)出全球首款 1c DDR5
就在今天 SK 海力士公司發(fā)布了一篇新聞，文章中表示該公司成功的開發(fā)出業(yè)界首款 1C DDR5，也就是第六代 10nm 工藝的 DDR5。隨著科技的飛速發(fā)展，內(nèi)存技術也在不斷革新，其中第六代 10nm DDR5 DRAM 無疑是近年來內(nèi)存領域的重要里程碑。
1C DDR5
第六代 10nm DDR5 DRAM 是基于最新制造工藝和技術標準開發(fā)的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）。與前幾代內(nèi)存相比，第六代 DDR5 DRAM 在數(shù)據(jù)傳輸速率、能效、容量和穩(wěn)定性等方面都有了顯著提升。
在半導體制造中，10 納米級技術代表了芯片制造過程中所使用的晶體管尺寸，這個尺寸的縮小意味著可以在相同的芯片面積上集成更多的晶體管，從而提升芯片的性能和能效。1C DDR5 采用該技藝制造的話將會有更強的性能表現(xiàn)。
在新聞中海力士公司提到“隨著 10 納米級 DRAM 技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內(nèi)完成 1c DDR5 DRAM 的量產(chǎn)準備，從明年開始供應產(chǎn)品，引領半導體存儲器市場發(fā)展?！?/p>
海力士公司利用 1b DRAM 平臺擴展的方式開發(fā)了 1c 工藝，并且還表明將在明年開始供應產(chǎn)品，那明年購買的 DDR5 可能會有比較大的提升，當然價格方面可能也會有所升高。
有關 1c DDR5 的性能，在新聞中又有所提及，此次 1c DDR5 DRAM 將主要用于高性能數(shù)據(jù)中心，其運行速度為 8Gbps（每秒8千兆比特），與前一代相比速度提高了 11%。另外能效也提高了 9% 以上。
有興趣的朋友可能看一下新聞原文：https://news.skhynix.com.cn/sk-hynix-develops-industry-first-1c-ddr5/
結論
1c DDR5 以更先進的制造工藝，為內(nèi)存技術樹立了新的標桿。無論是在高性能計算、人工智能、5G通信還是數(shù)據(jù)中心領域，這款內(nèi)存都展現(xiàn)出了強大的應用潛力。
本文編輯：@ 小小輝
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